半导体装置和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510064877.8

申请日：

2005-04-08

公开(公告)号：

CN100390973C

公开(公告)日：

2005-10-19

发明(设计)人：

濑古敏春

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2348 H01L2331 H01L2160 H01L2156

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明;刘宗杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-10-19	公开	公开
2008-05-28	授权	授权
2017-05-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101722567858 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2005100648778 申请日:20050408 授权公告日:20080528 终止日期:20160408

共 50 条

[1]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

松本纪久 .

中国专利 :CN109075082B ,2018-12-21

[2]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

西田真 .

中国专利 :CN108630757A ,2018-10-09

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

高田隆 .

中国专利 :CN101494204A ,2009-07-29

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

小谷贵浩 ;

前田将克 .

中国专利 :CN103415923B ,2013-11-27

[6]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

长泽立树 ;

鹰巢博昭 ;

刈迂修 .

中国专利 :CN115588644A ,2023-01-10

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

门口卓矢 .

中国专利 :CN105575928B ,2016-05-11

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

白鹤拓也 ;

矢野佑树 .

日本专利 :CN120883363A ,2025-10-31

[9]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

门口卓矢 ;

柳本博 ;

平冈基记 .

中国专利 :CN105575830B ,2016-05-11

[10]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

板桥龙也 ;

菊池由尚 .

中国专利 :CN104867839B ,2015-08-26

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