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使用牺牲源极/漏极层的增大的晶体管源极/漏极接触面积
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910457277.X
申请日
:
2019-05-29
公开(公告)号
:
CN110660739A
公开(公告)日
:
2020-01-07
发明(设计)人
:
D·M·克鲁姆
B·古哈
W·许
S·M·塞亚
T·加尼
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚
IPC主分类号
:
H01L218234
IPC分类号
:
H01L27088
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
韩宏;陈松涛
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20190529
2020-01-07
公开
公开
共 50 条
[1]
晶体管的源极/漏极外延层
[P].
刘威民
论文数:
0
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0
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刘威民
;
舒丽丽
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舒丽丽
;
杨育佳
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0
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杨育佳
.
中国专利
:CN113054028A
,2021-06-29
[2]
晶体管源漏极形成方法及晶体管源漏极
[P].
钱文生
论文数:
0
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钱文生
;
吕赵鸿
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吕赵鸿
.
中国专利
:CN101459079A
,2009-06-17
[3]
晶体管源极/漏极触点
[P].
C-J·古
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C-J·古
;
K·萨瑟恩
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K·萨瑟恩
;
A·巴兰
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0
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A·巴兰
;
P-h·王
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0
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P-h·王
;
B·塞尔
论文数:
0
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0
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B·塞尔
.
中国专利
:CN114597255A
,2022-06-07
[4]
用于晶体管装置的源极/漏极导体
[P].
J·忠曼
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J·忠曼
;
B·阿斯普林
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B·阿斯普林
.
中国专利
:CN105917482A
,2016-08-31
[5]
具有混合源极/漏极区的晶体管
[P].
李文君
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李文君
;
谷曼
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谷曼
.
中国专利
:CN113972267A
,2022-01-25
[6]
具有可控源极/漏极结构的晶体管
[P].
卢超群
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卢超群
;
黄立平
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黄立平
.
中国专利
:CN115692478A
,2023-02-03
[7]
具有混合源极/漏极区的晶体管
[P].
李文君
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
李文君
;
谷曼
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0
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
谷曼
.
美国专利
:CN113972267B
,2024-11-29
[8]
堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体
[P].
陈智轶
论文数:
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机构:
英特尔公司
英特尔公司
陈智轶
;
A·默西
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机构:
英特尔公司
英特尔公司
A·默西
;
M·派克
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机构:
英特尔公司
英特尔公司
M·派克
;
G·格拉斯
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机构:
英特尔公司
英特尔公司
G·格拉斯
.
美国专利
:CN120730774A
,2025-09-30
[9]
晶体管源极/漏极接触件及其形成方法
[P].
简薇庭
论文数:
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简薇庭
;
陈文彦
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陈文彦
;
王立廷
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王立廷
;
刘书豪
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0
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刘书豪
;
陈亮吟
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0
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陈亮吟
;
张惠政
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张惠政
.
中国专利
:CN114937699A
,2022-08-23
[10]
用于形成不同晶体管的源极/漏极区的注入
[P].
于殿圣
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于殿圣
;
廖忠志
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廖忠志
;
崔壬汾
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0
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0
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崔壬汾
.
中国专利
:CN108962994A
,2018-12-07
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