使用牺牲源极/漏极层的增大的晶体管源极/漏极接触面积

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910457277.X
申请日
2019-05-29
公开(公告)号
CN110660739A
公开(公告)日
2020-01-07
发明(设计)人
D·M·克鲁姆 B·古哈 W·许 S·M·塞亚 T·加尼
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚
IPC主分类号
H01L218234
IPC分类号
H01L27088
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
韩宏;陈松涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体管的源极/漏极外延层 [P]. 
刘威民 ;
舒丽丽 ;
杨育佳 .
中国专利 :CN113054028A ,2021-06-29
[2]
晶体管源漏极形成方法及晶体管源漏极 [P]. 
钱文生 ;
吕赵鸿 .
中国专利 :CN101459079A ,2009-06-17
[3]
晶体管源极/漏极触点 [P]. 
C-J·古 ;
K·萨瑟恩 ;
A·巴兰 ;
P-h·王 ;
B·塞尔 .
中国专利 :CN114597255A ,2022-06-07
[4]
用于晶体管装置的源极/漏极导体 [P]. 
J·忠曼 ;
B·阿斯普林 .
中国专利 :CN105917482A ,2016-08-31
[5]
具有混合源极/漏极区的晶体管 [P]. 
李文君 ;
谷曼 .
中国专利 :CN113972267A ,2022-01-25
[6]
具有可控源极/漏极结构的晶体管 [P]. 
卢超群 ;
黄立平 .
中国专利 :CN115692478A ,2023-02-03
[7]
具有混合源极/漏极区的晶体管 [P]. 
李文君 ;
谷曼 .
美国专利 :CN113972267B ,2024-11-29
[8]
堆叠晶体管架构中的源极和漏极主体 [P]. 
陈智轶 ;
A·默西 ;
M·派克 ;
G·格拉斯 .
美国专利 :CN120730774A ,2025-09-30
[9]
晶体管源极/漏极接触件及其形成方法 [P]. 
简薇庭 ;
陈文彦 ;
王立廷 ;
刘书豪 ;
陈亮吟 ;
张惠政 .
中国专利 :CN114937699A ,2022-08-23
[10]
用于形成不同晶体管的源极/漏极区的注入 [P]. 
于殿圣 ;
廖忠志 ;
崔壬汾 .
中国专利 :CN108962994A ,2018-12-07