发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110006545.3

申请日：

2021-01-05

公开(公告)号：

CN112820808A

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

张圣君胡根水孙虎李俊生

申请人：

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3338 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	公开	公开
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/36 申请日:20210105

共 50 条

[1]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 [P].

刘珊珊 ;

纪思美 ;

陈顺利 ;

李士涛 .

中国专利 :CN112510133A ,2021-03-16

[2]

发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 [P].

游云梦 ;

王佳 ;

芮哲 ;

田宇航 ;

马国强 ;

夏群 ;

刘战祥 .

中国专利 :CN118588817A ,2024-09-03

[3]

发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 [P].

王思博 ;

孟芳芳 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN110010733A ,2019-07-12

[4]

发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制作方法 [P].

王思博 ;

胡欢欢 ;

简弘安 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 ;

丁逸圣 .

中国专利 :CN109728143A ,2019-05-07

[5]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

[6]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[7]

发光二极管及发光二极管芯片 [P].

余泰成 .

中国专利 :CN1855557A ,2006-11-01

[8]

发光二极管芯片 [P].

林明德 .

中国专利 :CN1819254A ,2006-08-16

[9]

发光二极管芯片 [P].

林新强 ;

陈滨全 .

中国专利 :CN103367591A ,2013-10-23

[10]

发光二极管芯片 [P].

J·埃蒙德 ;

J·伊贝特森 ;

M·J·伯格曼 ;

A·C·萨尔特 ;

D·T·埃默森 ;

A·奇特尼斯 ;

B·P·凯勒 ;

K·哈伯雷恩 .

中国专利 :CN301263474S ,2010-06-16

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