半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410587684.X

申请日：

2008-04-11

公开(公告)号：

CN104409588A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

高尾将和酒井光彦千田和彦

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3360

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

刘晓迪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604809140 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:201410587684X 申请日:20080411
2015-03-11	公开	公开
2017-05-31	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

千田和彦 .

中国专利 :CN101657912A ,2010-02-24

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

中田俊次 .

中国专利 :CN101681970A ,2010-03-24

[3]

半导体发光元件 [P].

海野恒弘 ;

秋元克弥 ;

新井优洋 .

中国专利 :CN1988195A ,2007-06-27

[4]

半导体发光元件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN216120333U ,2022-03-22

[5]

半导体发光元件 [P].

海野恒弘 ;

秋元克弥 ;

新井优洋 .

中国专利 :CN101399308A ,2009-04-01

[6]

固态半导体发光元件 [P].

秦元正 .

中国专利 :CN2770097Y ,2006-04-05

[7]

半导体发光元件 [P].

藤井优作 ;

杉山正和 ;

M·玛尼施 .

中国专利 :CN107078188A ,2017-08-18

[8]

半导体发光元件 [P].

藤原崇子 ;

杉山正和 ;

M·玛尼施 .

中国专利 :CN107004742A ,2017-08-01

[9]

半导体发光元件 [P].

冈崎治彦 ;

菅原秀人 .

中国专利 :CN100587985C ,2008-05-21

[10]

半导体发光元件 [P].

毕京锋 ;

范伟宏 ;

高默然 ;

邬元杰 ;

张成军 ;

曾家明 .

中国专利 :CN113097359B ,2021-07-09

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