半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880012118.9

申请日：

2008-04-11

公开(公告)号：

CN101657912A

公开(公告)日：

2010-02-24

发明(设计)人：

高尾将和酒井光彦千田和彦

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101002758618 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008800121189 申请日:20080411
2015-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713437548 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008800121189 申请公布日:20100224
2010-02-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

中田俊次 .

中国专利 :CN101681970A ,2010-03-24

[2]

半导体发光元件 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

千田和彦 .

中国专利 :CN104409588A ,2015-03-11

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

千田和彦 .

中国专利 :CN101409322A ,2009-04-15

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

连亚琦 ;

洪梓健 .

中国专利 :CN104124321B ,2014-10-29

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN110088921A ,2019-08-02

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

曾炜竣 ;

彭康伟 ;

林素慧 ;

江宾 ;

曾明俊 ;

黄敏 .

中国专利 :CN113261119A ,2021-08-13

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

室伏仁 ;

青柳秀和 ;

武田四郎 ;

内田良彦 .

中国专利 :CN1759491A ,2006-04-12

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

冈部健彦 ;

平岩大介 ;

中田正人 ;

三木久幸 ;

福永修大 ;

篠原裕直 .

中国专利 :CN101971368A ,2011-02-09

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

服部靖 ;

布上真也 ;

齐藤真司 ;

波多腰玄一 .

中国专利 :CN101101951A ,2008-01-09

← 1 2 3 4 5 →