半导体发光元件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200480006269.5
申请日
2004-03-05
公开(公告)号
CN1759491A
公开(公告)日
2006-04-12
发明(设计)人
室伏仁 青柳秀和 武田四郎 内田良彦
申请人
申请人地址
日本新座市
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
杨凯;叶恺东
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
高尾将和 ;
酒井光彦 ;
中田俊次 .
中国专利 :CN101681970A ,2010-03-24
[2]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
武田四郎 ;
室伏仁 .
中国专利 :CN100420046C ,2005-05-25
[3]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
田岛未来雄 ;
佐藤雅裕 ;
青柳秀和 ;
松尾哲二 .
中国专利 :CN1661826A ,2005-08-31
[4]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
服部靖 ;
布上真也 ;
齐藤真司 ;
波多腰玄一 .
中国专利 :CN101101951A ,2008-01-09
[5]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
冈贵郁 ;
楠政谕 ;
阿部真司 .
中国专利 :CN101826585A ,2010-09-08
[6]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
高尾将和 ;
酒井光彦 ;
千田和彦 .
中国专利 :CN101657912A ,2010-02-24
[7]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P]. 
平尾直树 .
中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17
[8]
半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
牧野浩明 .
中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09
[9]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25
[10]
半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P]. 
丹羽纪隆 ;
稻津哲彦 .
中国专利 :CN114744093A ,2022-07-12