半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510523200.X

申请日：

2015-08-24

公开(公告)号：

CN105390579A

公开(公告)日：

2016-03-09

发明(设计)人：

牧野浩明

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋;舒艳君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-09	公开	公开
2018-12-07	授权	授权
2016-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101653690468 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:201510523200X 申请日:20150824

共 50 条

[1]

半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 [P].

酒井光彦 .

中国专利 :CN101322255A ,2008-12-10

[2]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

田岛未来雄 ;

多田善纪 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN101355128A ,2009-01-28

[3]

半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN105706255A ,2016-06-22

[4]

半导体发光元件制造方法与半导体发光元件 [P].

洪瑞华 ;

卢怡安 .

中国专利 :CN102412349A ,2012-04-11

[5]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法 [P].

楠木克辉 ;

佐藤寿朗 .

中国专利 :CN103972337A ,2014-08-06

[6]

半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件 [P].

竹内隆 ;

助川俊光 .

中国专利 :CN101447540B ,2009-06-03

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN111971805A ,2020-11-20

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

日本专利 :CN111971805B ,2024-12-27

[10]

半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件 [P].

铃木良治 .

中国专利 :CN1925180A ,2007-03-07

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