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半导体发光元件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980025987.3
申请日
:
2019-04-18
公开(公告)号
:
CN111971805B
公开(公告)日
:
2024-12-27
发明(设计)人
:
山本淳平
生田哲也
申请人
:
同和电子科技有限公司
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
H01L33/22
IPC分类号
:
H01L33/10
代理机构
:
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
:
刘新宇;李茂家
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-27
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
山本淳平
论文数:
0
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0
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山本淳平
;
生田哲也
论文数:
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生田哲也
.
中国专利
:CN111971805A
,2020-11-20
[2]
半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法
[P].
牧野浩明
论文数:
0
引用数:
0
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0
牧野浩明
.
中国专利
:CN105390579A
,2016-03-09
[3]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
山本淳平
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山本淳平
;
生田哲也
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生田哲也
.
中国专利
:CN110088921A
,2019-08-02
[4]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
田中治
论文数:
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机构:
同和电子科技有限公司
同和电子科技有限公司
田中治
;
门胁嘉孝
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机构:
同和电子科技有限公司
同和电子科技有限公司
门胁嘉孝
.
日本专利
:CN114556595B
,2025-04-08
[5]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
谢明勋
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0
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谢明勋
;
蔡嘉芬
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蔡嘉芬
.
中国专利
:CN100364121C
,2006-03-15
[6]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
谢明勋
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谢明勋
;
陈威佑
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陈威佑
;
张利铭
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张利铭
;
王健源
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王健源
;
姚久琳
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姚久琳
.
中国专利
:CN102437261A
,2012-05-02
[7]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
田中治
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田中治
;
门胁嘉孝
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门胁嘉孝
.
中国专利
:CN114556595A
,2022-05-27
[8]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
森健太郎
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森健太郎
;
铃木健之
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铃木健之
;
松尾美惠
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松尾美惠
;
关口正博
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关口正博
;
加贺广持
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加贺广持
.
中国专利
:CN105990473A
,2016-10-05
[9]
半导体发光元件及其制造方法
[P].
谢明勋
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谢明勋
;
蔡嘉芬
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蔡嘉芬
.
中国专利
:CN100573947C
,2008-05-07
[10]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法
[P].
平尾直树
论文数:
0
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平尾直树
.
中国专利
:CN101887937A
,2010-11-17
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