半导体发光元件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980025987.3
申请日
2019-04-18
公开(公告)号
CN111971805B
公开(公告)日
2024-12-27
发明(设计)人
山本淳平 生田哲也
申请人
同和电子科技有限公司
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L33/22
IPC分类号
H01L33/10
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
山本淳平 ;
生田哲也 .
中国专利 :CN111971805A ,2020-11-20
[2]
半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
牧野浩明 .
中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09
[3]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
山本淳平 ;
生田哲也 .
中国专利 :CN110088921A ,2019-08-02
[4]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
田中治 ;
门胁嘉孝 .
日本专利 :CN114556595B ,2025-04-08
[5]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
谢明勋 ;
蔡嘉芬 .
中国专利 :CN100364121C ,2006-03-15
[6]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
谢明勋 ;
陈威佑 ;
张利铭 ;
王健源 ;
姚久琳 .
中国专利 :CN102437261A ,2012-05-02
[7]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
田中治 ;
门胁嘉孝 .
中国专利 :CN114556595A ,2022-05-27
[8]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
森健太郎 ;
铃木健之 ;
松尾美惠 ;
关口正博 ;
加贺广持 .
中国专利 :CN105990473A ,2016-10-05
[9]
半导体发光元件及其制造方法 [P]. 
谢明勋 ;
蔡嘉芬 .
中国专利 :CN100573947C ,2008-05-07
[10]
半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P]. 
平尾直树 .
中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17