半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080072698.1

申请日：

2020-10-13

公开(公告)号：

CN114556595B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

田中治门胁嘉孝

申请人：

同和电子科技有限公司

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10H20/814

IPC分类号：

H10H20/82 H10H20/824 H10H20/856

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田中治 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN114556595A ,2022-05-27

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN111971805A ,2020-11-20

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

日本专利 :CN111971805B ,2024-12-27

[4]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[5]

半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P].

牧野浩明 .

中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09

[6]

半导体发光元件及其制造方法、半导体发光装置及其制造方法 [P].

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

久纳康光 ;

山田笃志 ;

荒木刚 .

日本专利 :CN120051903A ,2025-05-27

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

油利正昭 .

中国专利 :CN100568548C ,2005-08-03

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