半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510004500.3

申请日：

2005-01-24

公开(公告)号：

CN100568548C

公开(公告)日：

2005-08-03

发明(设计)人：

油利正昭

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-03	公开	公开
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-03-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101579933399 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005100045003 申请日:20050124 授权公告日:20091209 终止日期:20130124
2009-12-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 ;

大仲清司 ;

古池进 .

中国专利 :CN100418236C ,2005-08-10

[2]

半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置 [P].

冈崎治彦 ;

菅原秀人 .

中国专利 :CN1330416A ,2002-01-09

[3]

半导体发光元件以及其制造方法 [P].

市原隆志 ;

吉田裕史 ;

山田孝夫 ;

若井阳平 .

中国专利 :CN101772846B ,2010-07-07

[4]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法和发光装置 [P].

篠原裕直 ;

平野健介 .

中国专利 :CN103227259B ,2013-07-31

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

中田俊次 .

中国专利 :CN101681970A ,2010-03-24

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

神谷真央 ;

长谷川恭孝 ;

户谷真悟 .

中国专利 :CN101312228B ,2008-11-26

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

陈敏璋 ;

徐文庆 ;

何思桦 .

中国专利 :CN101651175A ,2010-02-17

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

角田笃勇 .

中国专利 :CN101188265A ,2008-05-28

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

冈贵郁 ;

阿部真司 ;

川崎和重 ;

佐久间仁 .

中国专利 :CN101494270A ,2009-07-29

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 .

中国专利 :CN101183702B ,2008-05-21

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