半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810097739.3

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101312228B

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

神谷真央长谷川恭孝户谷真悟

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;王春伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080523 授权公告日:20101117 终止日期:20170523
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-26	公开	公开
2010-11-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置 [P].

冈崎治彦 ;

菅原秀人 .

中国专利 :CN1330416A ,2002-01-09

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

油利正昭 .

中国专利 :CN100568548C ,2005-08-03

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

石桥明彦 ;

横川俊哉 ;

大仲清司 ;

古池进 .

中国专利 :CN100418236C ,2005-08-10

[4]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[5]

半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P].

牧野浩明 .

中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09

[6]

半导体发光元件以及其制造方法 [P].

市原隆志 ;

吉田裕史 ;

山田孝夫 ;

若井阳平 .

中国专利 :CN101772846B ,2010-07-07

[7]

半导体发光元件及其制造方法、半导体发光装置及其制造方法 [P].

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

久纳康光 ;

山田笃志 ;

荒木刚 .

日本专利 :CN120051903A ,2025-05-27

[8]

半导体发光元件、半导体发光元件的制造方法和发光装置 [P].

篠原裕直 ;

平野健介 .

中国专利 :CN103227259B ,2013-07-31

[9]

氮化物半导体发光元件及其制造方法 [P].

上田吉裕 ;

伊藤茂稔 .

中国专利 :CN106169527A ,2016-11-30

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

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