半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810097739.3

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101312228B

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

神谷真央长谷川恭孝户谷真悟

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;王春伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080523 授权公告日:20101117 终止日期:20170523
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-26	公开	公开
2010-11-17	授权	授权

共 50 条

[21]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN111971805A ,2020-11-20

[22]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

木村重哉 ;

名古肇 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104037286A ,2014-09-10

[23]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

铃木真理子 ;

小野富男 ;

酒井忠司 ;

佐久间尚志 ;

吉田博昭 .

中国专利 :CN1941438A ,2007-04-04

[24]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103078026A ,2013-05-01

[25]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN110088921A ,2019-08-02

[26]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井口缘 ;

渡边信幸 ;

村上哲朗 ;

智者多永子 .

中国专利 :CN100533793C ,2007-12-05

[27]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

折田贤儿 .

中国专利 :CN102804416A ,2012-11-28

[28]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

萩野裕幸 ;

大野启 ;

山中一彦 ;

长尾宣明 ;

滨田贵裕 .

中国专利 :CN102365796A ,2012-02-29

[29]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

三木聪 ;

胜野弘 ;

田岛纯平 .

中国专利 :CN105098010A ,2015-11-25

[30]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

佐伯亮 ;

菅原秀人 ;

渡边幸雄 ;

地头所保 .

中国专利 :CN1351384A ,2002-05-29

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