半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810097739.3

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101312228B

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

神谷真央长谷川恭孝户谷真悟

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;王春伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080523 授权公告日:20101117 终止日期:20170523
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-26	公开	公开
2010-11-17	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长尾阳二 .

日本专利 :CN120391021A ,2025-07-29

[42]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

蔡炯棋 ;

蔡宗良 ;

李玉柱 .

中国专利 :CN101127378A ,2008-02-20

[43]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

名古肇 ;

木村重哉 ;

原田佳幸 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103915531A ,2014-07-09

[44]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

长谷川义晃 ;

横川俊哉 ;

山田笃志 .

中国专利 :CN1736009A ,2006-02-15

[45]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

吴永胜 ;

李培双 ;

刘德意 .

中国专利 :CN110010738A ,2019-07-12

[46]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

曾炜竣 ;

彭康伟 ;

林素慧 ;

江宾 ;

曾明俊 ;

黄敏 .

中国专利 :CN113261119A ,2021-08-13

[47]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

颜世男 ;

邱荣涂 ;

沈豫俊 ;

蔡清富 .

中国专利 :CN101000940A ,2007-07-18

[48]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

连亚琦 ;

洪梓健 .

中国专利 :CN104124321B ,2014-10-29

[49]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

月原政志 ;

中村薰 .

中国专利 :CN105849918A ,2016-08-10

[50]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

室伏仁 ;

武田四郎 .

中国专利 :CN1755960A ,2006-04-05

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