半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310143708.8

申请日：

2013-04-24

公开(公告)号：

CN104124321B

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

连亚琦洪梓健

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3338 H01L3300

代理机构：

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人：

曾昭毅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	授权	授权
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101589566702 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2013101437088 申请日:20130424
2014-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

青柳秀和 ;

大塚康二 ;

佐藤雅裕 .

中国专利 :CN1622350A ,2005-06-01

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

中田俊次 .

中国专利 :CN101681970A ,2010-03-24

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

千田和彦 .

中国专利 :CN101409322A ,2009-04-15

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

酒井光彦 ;

千田和彦 .

中国专利 :CN101657912A ,2010-02-24

[5]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[6]

半导体发光元件制造方法 [P].

中條直树 ;

神谷真央 ;

本间昭广 .

中国专利 :CN102812566A ,2012-12-05

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

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