半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510109799.9

申请日：

2005-09-23

公开(公告)号：

CN1755960A

公开(公告)日：

2006-04-05

发明(设计)人：

室伏仁武田四郎

申请人：

申请人地址：

日本埼玉

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S530

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-26	授权	授权
2014-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588383200 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101097999 申请日:20050923 授权公告日:20081126 终止日期:20130923
2006-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

曾炜竣 ;

彭康伟 ;

林素慧 ;

江宾 ;

曾明俊 ;

黄敏 .

中国专利 :CN113261119A ,2021-08-13

[2]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[3]

半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P].

牧野浩明 .

中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09

[4]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675310B ,2024-02-09

[5]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN114744093B ,2025-02-25

[6]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN114744093A ,2022-07-12

[7]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN113675309A ,2021-11-19

[8]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

日本专利 :CN113675309B ,2024-03-19

[9]

半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 [P].

丹羽纪隆 ;

稻津哲彦 .

中国专利 :CN113675310A ,2021-11-19

[10]

半导体发光元件及其制造方法、半导体发光装置及其制造方法 [P].

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

久纳康光 ;

山田笃志 ;

荒木刚 .

日本专利 :CN120051903A ,2025-05-27

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