半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910002799.7

申请日：

2009-01-22

公开(公告)号：

CN101494270A

公开(公告)日：

2009-07-29

发明(设计)人：

冈贵郁阿部真司川崎和重佐久间仁

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

闫小龙;蒋骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-29	公开	公开
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101077488808 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009100027997 公开日:20090729

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

吴永胜 ;

李培双 ;

刘德意 .

中国专利 :CN110010738A ,2019-07-12

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

角田笃勇 .

中国专利 :CN101188265A ,2008-05-28

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

冈贵郁 ;

楠政谕 ;

阿部真司 .

中国专利 :CN101826585A ,2010-09-08

[4]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

井上振一郎 ;

溜直树 .

中国专利 :CN105453277B ,2016-03-30

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

渡边信幸 ;

井口缘 ;

村上哲朗 .

中国专利 :CN1909259A ,2007-02-07

[7]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

油利正昭 .

中国专利 :CN100568548C ,2005-08-03

[8]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

冈贵郁 ;

阿部真司 ;

川崎和重 ;

佐久间仁 .

中国专利 :CN102148477A ,2011-08-10

[9]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

黄钟日 ;

胜野弘 .

中国专利 :CN105990474A ,2016-10-05

[10]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

全水根 ;

金太贤 ;

金太进 ;

朴俊阐 ;

金柄摄 ;

金钟源 ;

朴基万 .

中国专利 :CN106415859B ,2017-02-15

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