半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110034238.2

申请日：

2011-02-01

公开(公告)号：

CN102148477A

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

冈贵郁阿部真司川崎和重佐久间仁

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01S524

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

闫小龙;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	公开	公开
2013-12-11	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101550733748 IPC(主分类):H01S 5/22 专利申请号:2011100342382 放弃生效日:20110810
2011-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110110638 IPC(主分类):H01S 5/22 专利申请号:2011100342382 申请日:20110201

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

冈贵郁 ;

楠政谕 ;

阿部真司 .

中国专利 :CN101826585A ,2010-09-08

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

高尾将和 ;

千田和彦 .

中国专利 :CN101409322A ,2009-04-15

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

吴永胜 ;

李培双 ;

刘德意 .

中国专利 :CN110010738A ,2019-07-12

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

田岛未来雄 ;

佐藤雅裕 ;

青柳秀和 ;

松尾哲二 .

中国专利 :CN1661826A ,2005-08-31

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101800399A ,2010-08-11

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

冈贵郁 ;

阿部真司 ;

川崎和重 ;

佐久间仁 .

中国专利 :CN101494270A ,2009-07-29

[7]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[8]

半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P].

牧野浩明 .

中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09

[9]

半导体发光元件、以及半导体发光元件的制造方法 [P].

山田笃志 ;

久纳康光 ;

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

油本隆司 .

日本专利 :CN119096437A ,2024-12-06

[10]

半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 [P].

冈贵郁 ;

阿部真司 ;

川崎和重 ;

堀江淳一 ;

佐久间仁 .

中国专利 :CN101877456A ,2010-11-03

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