半导体发光元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710197023.6

申请日：

2004-09-10

公开(公告)号：

CN100573947C

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

谢明勋蔡嘉芬

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L5150 H01L5156 H01S500 H05B3312 H05B3310

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-23	授权	授权
2008-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

谢明勋 ;

蔡嘉芬 .

中国专利 :CN100364121C ,2006-03-15

[2]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN111971805A ,2020-11-20

[3]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

中国专利 :CN110088921A ,2019-08-02

[4]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

谢明勋 ;

陈威佑 ;

张利铭 ;

王健源 ;

姚久琳 .

中国专利 :CN102437261A ,2012-05-02

[5]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

山本淳平 ;

生田哲也 .

日本专利 :CN111971805B ,2024-12-27

[6]

半导体发光元件及其制造方法 [P].

森健太郎 ;

铃木健之 ;

松尾美惠 ;

关口正博 ;

加贺广持 .

中国专利 :CN105990473A ,2016-10-05

[7]

半导体发光元件及其制造方法、半导体元件及其制造方法 [P].

平尾直树 .

中国专利 :CN101887937A ,2010-11-17

[8]

半导体发光元件晶片、半导体发光元件及其制造方法 [P].

牧野浩明 .

中国专利 :CN105390579A ,2016-03-09

[9]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

樱井哲朗 .

中国专利 :CN102265415A ,2011-11-30

[10]

半导体发光元件及其制造方法、半导体发光装置及其制造方法 [P].

永井洋希 ;

中谷东吾 ;

久纳康光 ;

山田笃志 ;

荒木刚 .

日本专利 :CN120051903A ,2025-05-27

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