半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711443872.5

申请日：

2013-05-29

公开(公告)号：

CN108461447A

公开(公告)日：

2018-08-28

发明(设计)人：

铃木和贵是成贵弘

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L2702 H01L27088

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请公布日:20180828
2018-08-28	公开	公开
2018-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20130529

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855221A ,2014-06-11

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

斋藤友博 .

中国专利 :CN1499646A ,2004-05-26

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江宏礼 ;

陈奕升 ;

周雷峻 ;

陈志良 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110676304A ,2020-01-10

[8]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103748688A ,2014-04-23

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

福井雄司 ;

疋田智之 ;

榎本修治 ;

吉野和彦 .

中国专利 :CN101351892B ,2009-01-21

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

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