抑制GIDL的MOSFET及其制造方法及包括MOSFET的电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111285529.9

申请日：

2021-11-01

公开(公告)号：

CN114093949A

公开(公告)日：

2022-02-25

发明(设计)人：

朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	公开	公开
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20211101

共 50 条

[1]

抑制GIDL的MOSFET及其制造方法及包括MOSFET的电子设备 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN114093949B ,2024-04-26

[2]

功率MOSFET和制造功率MOSFET的方法 [P].

O·布兰克 ;

M·胡茨勒 ;

D·拉福雷特 ;

C·乌夫拉尔 ;

R·西米尼克 ;

叶俐君 .

中国专利 :CN105261650A ,2016-01-20

[3]

功率MOSFET及其制造方法、包括其的半导体器件 [P].

前田大辉 .

中国专利 :CN101154686B ,2008-04-02

[4]

沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法 [P].

任娜 ;

王宝柱 ;

盛况 ;

徐弘毅 ;

吴九鹏 ;

王珩宇 .

中国专利 :CN117637844A ,2024-03-01

[5]

制造槽栅型MOSFET器件的方法 [P].

金希大 .

中国专利 :CN101211785B ,2008-07-02

[6]

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法 [P].

J·德拉勒奥 ;

F·朱利恩 .

法国专利 :CN112309982B ,2025-05-09

[7]

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法 [P].

J·德拉勒奥 ;

F·朱利恩 .

中国专利 :CN112309982A ,2021-02-02

[8]

MOSFET的自动布局方法及装置 [P].

叶佐昌 ;

王燕 ;

郝晶磊 .

中国专利 :CN114943200A ,2022-08-26

[9]

包括具有镇流电阻器的MOSFET的集成电路及相应制造方法 [P].

S·苏塔德加 ;

R·克里施纳穆尔蒂 ;

徐兆扬 .

中国专利 :CN103620787B ,2014-03-05

[10]

高电压MOSFET及其制造方法 [P].

格雷戈里·迪克斯 ;

莱顿·E·麦基恩 ;

伊恩·利文斯顿 ;

罗杰·梅尔彻 ;

罗恩·布雷思韦特 .

中国专利 :CN103814444A ,2014-05-21

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