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包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010748995.5
申请日：
2020-07-30
公开(公告)号：
CN112309982A
公开(公告)日：
2021-02-02
发明(设计)人：
J·德拉勒奥
F·朱利恩
申请人：
申请人地址：
法国鲁塞
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L27088
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
董莘
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-02 | 公开 | 公开 |
| 2021-02-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20200730 |