一种增加晶体管有效沟道长度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010729652.4

申请日：

2020-07-27

公开(公告)号：

CN111785638A

公开(公告)日：

2020-10-16

发明(设计)人：

马雁飞宋洋王昌锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-16	公开	公开
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200727

共 50 条

[1]

一种增加PMOS有效沟道长度的方法 [P].

肖海波 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN101697346A ,2010-04-21

[2]

MOS晶体管有效沟道长度测试结构及测试方法 [P].

郭奥 .

中国专利 :CN102945841A ,2013-02-27

[3]

MOS管有效沟道长度测试方法及装置 [P].

赵东艳 ;

刘芳 ;

丁永康 ;

许凯 ;

高大为 ;

吴永玉 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

章明瑞 .

中国专利 :CN119297099B ,2025-06-20

[4]

MOS管有效沟道长度测试方法及装置 [P].

赵东艳 ;

刘芳 ;

丁永康 ;

许凯 ;

高大为 ;

吴永玉 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

章明瑞 .

中国专利 :CN119297099A ,2025-01-10

[5]

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法 [P].

J·德拉勒奥 ;

F·朱利恩 .

法国专利 :CN112309982B ,2025-05-09

[6]

包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法 [P].

J·德拉勒奥 ;

F·朱利恩 .

中国专利 :CN112309982A ,2021-02-02

[7]

晶体管及其沟道长度的形成方法 [P].

黄奕仙 ;

杨斌 .

中国专利 :CN103325834B ,2013-09-25

[8]

具有增加的有效沟道长度的半导体器件的制造方法 [P].

郑弘植 ;

金奇南 ;

黄有商 .

中国专利 :CN100428442C ,2003-11-26

[9]

具有增加的有效沟道宽度的晶体管 [P].

胡信中 ;

文成烈 ;

比尔·潘 .

中国专利 :CN113451341A ,2021-09-28

[10]

具有增加的有效沟道宽度的晶体管 [P].

黃教迪 ;

胡信中 ;

郑源伟 .

中国专利 :CN113451340A ,2021-09-28

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