半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810117504.6

申请日：

2008-07-31

公开(公告)号：

CN101640174B

公开(公告)日：

2010-02-03

发明(设计)人：

赵林林

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21768 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-08-24	授权	授权
2020-07-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20080731 授权公告日:20110824 终止日期:20190731
2010-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体金属互连层的形成方法 [P].

薛盛鼎 ;

袁洋 ;

张必友 ;

朱作华 ;

王函 .

中国专利 :CN120637320A ,2025-09-12

[2]

半导体器件的金属互连形成方法 [P].

金昇炫 .

中国专利 :CN100533725C ,2006-08-16

[3]

刻蚀方法及半导体结构的形成方法 [P].

胡敏达 ;

郑二虎 ;

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107275202B ,2017-10-20

[4]

钝化层的刻蚀方法、半导体结构 [P].

汝伟亮 ;

刘纵曙 ;

邹海华 ;

张慧敏 ;

翟卫霆 .

中国专利 :CN118571793A ,2024-08-30

[5]

半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

仇松柏 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103021912A ,2013-04-03

[6]

半导体结构的刻蚀方法和半导体结构 [P].

王文莉 ;

姚兴兵 ;

罗永坚 ;

姚琦 ;

陈超 .

中国专利 :CN120834006A ,2025-10-24

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742182B ,2016-07-06

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

王冬江 ;

张海洋 .

中国专利 :CN104465386A ,2015-03-25

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105719972A ,2016-06-29

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105742183B ,2016-07-06

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