外谐振腔半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710300512.X

申请日：

2004-05-21

公开(公告)号：

CN101295855A

公开(公告)日：

2008-10-29

发明(设计)人：

大卫·W·沙拉罗辉

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01S514

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈文青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-29	公开	公开
2008-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063085782 IPC(主分类):H01S 5/14 专利申请号:200710300512X 公开日:20081029

共 50 条

[1]

外谐振腔半导体激光器及其制造方法 [P].

大卫·W·沙拉 ;

罗辉 .

中国专利 :CN1700540A ,2005-11-23

[2]

谐振腔、半导体激光器以及谐振腔的制备方法 [P].

向欣 .

中国专利 :CN117712825A ,2024-03-15

[3]

谐振腔、半导体激光器以及谐振腔的制备方法 [P].

向欣 .

中国专利 :CN117712825B ,2024-09-17

[4]

谐振腔以及半导体激光器芯片 [P].

向欣 .

中国专利 :CN221407974U ,2024-07-23

[5]

半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构 [P].

刘建平 ;

江灵荣 ;

田爱琴 ;

杨辉 .

中国专利 :CN110323670A ,2019-10-11

[6]

外腔半导体激光器 [P].

阿兰姆·穆拉迪安 .

中国专利 :CN1046641A ,1990-10-31

[7]

外腔半导体激光器 [P].

臧二军 ;

赵阳 ;

李烨 ;

曹建平 ;

方占军 .

中国专利 :CN101958510B ,2011-01-26

[8]

外腔式半导体激光器 [P].

肖云峰 ;

张方醒 ;

季胜强 ;

孙伽略 ;

柏雁捷 ;

皇甫胜男 .

中国专利 :CN115473122A ,2022-12-13

[9]

外腔半导体激光器 [P].

肖啸 ;

鲁远甫 ;

于峰崎 ;

金雷 .

中国专利 :CN103532012A ,2014-01-22

[10]

外腔半导体激光器 [P].

黄军超 ;

杜润昌 ;

王新文 ;

于明园 ;

杨林 .

中国专利 :CN112018597A ,2020-12-01

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