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一种立体封装MRAM存储器
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201220515592.7
申请日
:
2012-09-29
公开(公告)号
:
CN203103291U
公开(公告)日
:
2013-07-31
发明(设计)人
:
颜军
黄小虎
申请人
:
申请人地址
:
519080 广东省珠海市唐家东岸白沙路1号欧比特科技园
IPC主分类号
:
H01L23498
IPC分类号
:
代理机构
:
广东秉德律师事务所 44291
代理人
:
杨焕军;田学东
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-07-31
授权
授权
共 50 条
[1]
一种立体封装MRAM存储器
[P].
郭亚炜
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
无锡彼星半导体有限公司
无锡彼星半导体有限公司
郭亚炜
.
中国专利
:CN220755378U
,2024-04-09
[2]
一种立体封装MRAM存储器
[P].
颜军
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颜军
;
汤凡
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汤凡
;
王烈洋
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王烈洋
;
占连样
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占连样
.
中国专利
:CN209471949U
,2019-10-08
[3]
一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器
[P].
颜军
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颜军
;
陈像
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陈像
;
颜志宇
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颜志宇
;
龚永红
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龚永红
;
王烈洋
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王烈洋
;
占连样
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占连样
;
汤凡
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汤凡
;
蒲光明
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蒲光明
;
陈伙立
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陈伙立
;
骆征兵
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骆征兵
.
中国专利
:CN213184261U
,2021-05-11
[4]
一种容量为2M×8bit的立体封装MRAM存储器
[P].
王烈洋
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王烈洋
;
叶振荣
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叶振荣
;
黄小虎
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黄小虎
;
蒋晓华
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蒋晓华
;
颜军
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颜军
.
中国专利
:CN203423171U
,2014-02-05
[5]
一种容量为512K×40bit的立体封装MRAM存储器
[P].
王烈洋
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王烈洋
;
叶振荣
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叶振荣
;
黄小虎
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黄小虎
;
蒋晓华
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蒋晓华
;
颜军
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颜军
.
中国专利
:CN203406281U
,2014-01-22
[6]
一种容量为256K×32bit的立体封装MRAM存储器
[P].
王烈洋
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王烈洋
;
叶振荣
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叶振荣
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黄小虎
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黄小虎
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蒋晓华
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蒋晓华
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颜军
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颜军
.
中国专利
:CN203423173U
,2014-02-05
[7]
一种立体封装EEPROM存储器
[P].
颜军
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颜军
;
蒋晓华
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蒋晓华
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黄小虎
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黄小虎
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王烈洋
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王烈洋
;
叶振荣
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叶振荣
.
中国专利
:CN203300638U
,2013-11-20
[8]
一种立体封装SDRAM存储器
[P].
颜军
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颜军
;
蒋晓华
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蒋晓华
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黄小虎
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黄小虎
;
王烈洋
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王烈洋
;
叶振荣
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叶振荣
.
中国专利
:CN203300643U
,2013-11-20
[9]
一种立体封装SRAM存储器
[P].
颜军
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颜军
;
黄小虎
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黄小虎
.
中国专利
:CN203103290U
,2013-07-31
[10]
一种立体封装NAND-FLASH存储器
[P].
颜军
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颜军
;
黄小虎
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黄小虎
.
中国专利
:CN203103288U
,2013-07-31
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