一种氟化二维羟基硅烷材料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710779697.0

申请日：

2017-09-01

公开(公告)号：

CN109422268A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

封伟王宇赵付来冯奕钰

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C01B3310

IPC分类号：

代理机构：

天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214

代理人：

王秀奎

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 33/10 申请公布日:20190305
2019-03-05	公开	公开
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/10 申请日:20170901

共 50 条

[1]

一种氟化锗化氢二维材料及制备方法 [P].

封伟 ;

王宇 ;

冯奕钰 ;

李瑀 ;

赵付来 ;

张盼盼 .

中国专利 :CN108726557A ,2018-11-02

[2]

乙烯基修饰的锗化氢二维材料及其制备方法 [P].

封伟 ;

王宇 ;

赵付来 ;

张盼盼 .

中国专利 :CN109592641B ,2019-04-09

[3]

一种二维含能材料及其制备方法 [P].

陈晓勇 ;

张泽宇 ;

熊继军 ;

梁庭 ;

贾平岗 ;

洪应平 ;

雷程 ;

李晨 .

中国专利 :CN109678632A ,2019-04-26

[4]

一种二维含能材料及其制备方法 [P].

陈晓勇 ;

王新新 ;

熊继军 ;

梁庭 ;

贾平岗 ;

洪应平 ;

雷程 ;

李晨 .

中国专利 :CN109678631A ,2019-04-26

[5]

一种二维材料及其制备方法 [P].

李广亮 ;

胡国锋 .

中国专利 :CN120006380A ,2025-05-16

[6]

一种二维材料及其制备方法 [P].

韩业创 ;

曹沛雨 ;

袁红杨 ;

田中群 .

中国专利 :CN120463234A ,2025-08-12

[7]

单层二维材料及其制备方法 [P].

张兴旺 ;

张丝雨 ;

尹志岗 .

中国专利 :CN117431638A ,2024-01-23

[8]

二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法 [P].

王佩剑 ;

刘影 ;

潘宝俊 ;

蓝善贵 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114411148A ,2022-04-29

[9]

二维材料、二维材料合金以及二维材料异质结制备方法 [P].

王佩剑 ;

刘影 ;

潘宝俊 ;

蓝善贵 ;

俞滨 .

中国专利 :CN114411148B ,2024-05-07

[10]

一种铪二维原子晶体材料及其制备方法 [P].

王业亮 ;

李林飞 ;

高鸿钧 .

中国专利 :CN103074680A ,2013-05-01

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