半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810210313.4

申请日：

2008-04-18

公开(公告)号：

CN101335300A

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

菊池善明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2128 H01L21311

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

彭久云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	授权	授权
2008-12-31	公开	公开
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法 [P].

高山彻 ;

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100405602C ,2003-11-26

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

田村畅征 ;

铃木健 ;

大谷一弘 .

中国专利 :CN101165918A ,2008-04-23

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN101499475B ,2009-08-05

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐藤好弘 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN1933158A ,2007-03-21

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

钉宫克尚 ;

村田顕一 ;

冈野仁志 ;

森茂贵 ;

川岛宽之 ;

松野琢磨 .

中国专利 :CN106463460A ,2017-02-22

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN106887458B ,2017-06-23

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN101901839B ,2010-12-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉持贤一 .

中国专利 :CN1323429C ,2003-11-26

[10]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

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