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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200810210313.4
申请日：
2008-04-18
公开(公告)号：
CN101335300A
公开(公告)日：
2008-12-31
发明(设计)人：
菊池善明
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L21336
H01L2128
H01L21311
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
彭久云
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-07-21 | 授权 | 授权 |
| 2008-12-31 | 公开 | 公开 |
| 2009-02-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |