一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010247815.1

申请日：

2010-08-02

公开(公告)号：

CN101905886A

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

谭毅邹瑞洵顾正董伟姜大川

申请人：

申请人地址：

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

关慧贞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101032300132 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2010102478151 申请日:20100802
2012-02-15	授权	授权
2010-12-08	公开	公开
2016-09-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101680339004 IPC(主分类):C01B 33/037 专利号:ZL2010102478151 申请日:20100802 授权公告日:20120215 终止日期:20150802

共 50 条

[1]

电子束和酸洗提纯多晶硅的方法 [P].

战丽姝 ;

董伟 ;

谭毅 ;

李国斌 .

中国专利 :CN101935041A ,2011-01-05

[2]

一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法 [P].

谭毅 ;

战丽姝 ;

邹瑞洵 ;

郭校亮 .

中国专利 :CN102145893A ,2011-08-10

[3]

一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置 [P].

刘应宽 ;

盛之林 ;

刘振远 ;

郑杰 ;

尹中荣 ;

蒋宁雄 ;

刘永贵 .

中国专利 :CN202175565U ,2012-03-28

[4]

一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法及设备 [P].

谭毅 ;

姜大川 ;

邹瑞洵 ;

顾正 ;

战丽姝 .

中国专利 :CN102120579B ,2011-07-13

[5]

利用电子束熔炼炉提纯多晶硅的方法 [P].

刘应宽 ;

温卫东 ;

冯全义 ;

杨麒 ;

窦鹏 .

中国专利 :CN107128928A ,2017-09-05

[6]

一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 [P].

谭毅 ;

战丽姝 ;

姜大川 ;

顾正 ;

邹瑞洵 .

中国专利 :CN102145894A ,2011-08-10

[7]

一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备 [P].

谭毅 ;

刘应宽 ;

盛之林 ;

李佳艳 ;

石爽 ;

刘振远 ;

董伟 ;

姜大川 .

中国专利 :CN102408112A ,2012-04-11

[8]

一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的方法及设备 [P].

谭毅 ;

战丽姝 ;

姜大川 ;

顾正 ;

邹瑞洵 .

中国专利 :CN102126725B ,2011-07-20

[9]

多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉 [P].

黄以平 ;

李少林 ;

宋宜梅 .

中国专利 :CN101445957A ,2009-06-03

[10]

多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉 [P].

黄以平 ;

李少林 ;

宋宜梅 .

中国专利 :CN201309981Y ,2009-09-16

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