利用电子束熔炼炉提纯多晶硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710377606.0

申请日：

2017-05-25

公开(公告)号：

CN107128928A

公开(公告)日：

2017-09-05

发明(设计)人：

刘应宽温卫东冯全义杨麒窦鹏

申请人：

申请人地址：

750002 宁夏回族自治区银川市金凤区亲水南街2号亲水商务中心302

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

宁夏合天律师事务所 64103

代理人：

孙彦虎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-05	公开	公开
2019-04-05	授权	授权
2017-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750789479 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:2017103776060 申请日:20170525

共 50 条

[1]

多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉 [P].

黄以平 ;

李少林 ;

宋宜梅 .

中国专利 :CN101445957A ,2009-06-03

[2]

多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉 [P].

黄以平 ;

李少林 ;

宋宜梅 .

中国专利 :CN201309981Y ,2009-09-16

[3]

一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法 [P].

谭毅 ;

邹瑞洵 ;

顾正 ;

董伟 ;

姜大川 .

中国专利 :CN101905886A ,2010-12-08

[4]

一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法 [P].

谭毅 ;

战丽姝 ;

邹瑞洵 ;

郭校亮 .

中国专利 :CN102145893A ,2011-08-10

[5]

电子束和酸洗提纯多晶硅的方法 [P].

战丽姝 ;

董伟 ;

谭毅 ;

李国斌 .

中国专利 :CN101935041A ,2011-01-05

[6]

电子束熔炼炉 [P].

徐嘉立 ;

欧鹏 ;

楚增勇 ;

吴韡 ;

刘志宇 .

中国专利 :CN108300867A ,2018-07-20

[7]

一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置 [P].

刘应宽 ;

盛之林 ;

刘振远 ;

郑杰 ;

尹中荣 ;

蒋宁雄 ;

刘永贵 .

中国专利 :CN202175565U ,2012-03-28

[8]

一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置 [P].

刘应宽 ;

盛之林 ;

刘振远 ;

郑杰 ;

尹中荣 ;

蒋宁雄 ;

刘永贵 .

中国专利 :CN102259866A ,2011-11-30

[9]

电子束熔炼炉 [P].

吴景晖 ;

姚力军 ;

杜全国 .

中国专利 :CN205382197U ,2016-07-13

[10]

电子束熔炼炉 [P].

尹中荣 ;

李全旺 ;

王钺 ;

张睿 ;

孙照富 ;

王征 ;

张延宾 ;

戴天舒 ;

李勍 ;

周新明 ;

王轩 ;

高亚杰 .

中国专利 :CN201962335U ,2011-09-07

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