一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110150715.1
申请日
2011-06-09
公开(公告)号
CN102259866A
公开(公告)日
2011-11-30
发明(设计)人
刘应宽 盛之林 刘振远 郑杰 尹中荣 蒋宁雄 刘永贵
申请人
申请人地址
751100 宁夏回族自治区吴忠市利通区友谊东路
IPC主分类号
C01B33037
IPC分类号
代理机构
合天律师事务所 64103
代理人
郭立宁
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种多晶硅提纯用电子束熔炼高效装置 [P]. 
刘应宽 ;
盛之林 ;
刘振远 ;
郑杰 ;
尹中荣 ;
蒋宁雄 ;
刘永贵 .
中国专利 :CN202175565U ,2012-03-28
[2]
多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉 [P]. 
黄以平 ;
李少林 ;
宋宜梅 .
中国专利 :CN101445957A ,2009-06-03
[3]
多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉 [P]. 
黄以平 ;
李少林 ;
宋宜梅 .
中国专利 :CN201309981Y ,2009-09-16
[4]
利用电子束熔炼炉提纯多晶硅的方法 [P]. 
刘应宽 ;
温卫东 ;
冯全义 ;
杨麒 ;
窦鹏 .
中国专利 :CN107128928A ,2017-09-05
[5]
一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法 [P]. 
谭毅 ;
邹瑞洵 ;
顾正 ;
董伟 ;
姜大川 .
中国专利 :CN101905886A ,2010-12-08
[6]
一种电子束分次熔炼提纯多晶硅的方法 [P]. 
谭毅 ;
战丽姝 ;
邹瑞洵 ;
郭校亮 .
中国专利 :CN102145893A ,2011-08-10
[7]
一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的设备 [P]. 
谭毅 ;
姜大川 ;
邹瑞洵 ;
顾正 ;
战丽姝 .
中国专利 :CN202046892U ,2011-11-23
[8]
电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的装置 [P]. 
王登科 ;
郭校亮 ;
姜大川 ;
安广野 ;
谭毅 .
中国专利 :CN203699922U ,2014-07-09
[9]
一种电子束高效、连续熔炼提纯多晶硅的方法及设备 [P]. 
谭毅 ;
姜大川 ;
邹瑞洵 ;
顾正 ;
战丽姝 .
中国专利 :CN102120579B ,2011-07-13
[10]
一种电子束浅熔池熔炼提纯多晶硅的设备 [P]. 
战丽姝 ;
谭毅 ;
顾正 .
中国专利 :CN201962076U ,2011-09-07