一种对化学机械抛光后硅片的清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110153102.3

申请日：

2011-06-08

公开(公告)号：

CN102820210A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

王晨何华锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21321 C11D760 C11D734 C11D710 C11D718

代理机构：

上海翰鸿律师事务所 31246

代理人：

李佳铭

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-12	公开	公开
2014-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583595619 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011101531023 申请日:20110608
2016-12-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种钨化学机械抛光后的清洗方法 [P].

彭洪修 ;

刘兵 ;

孙广胜 .

中国专利 :CN102569022A ,2012-07-11

[2]

化学机械抛光设备硅片清洗装置 [P].

高文泉 ;

王东辉 ;

陈波 ;

廖垂鑫 ;

陈威 ;

柳滨 .

中国专利 :CN101716585A ,2010-06-02

[3]

化学机械抛光方法和化学机械抛光设备 [P].

邵群 ;

王庆玲 .

中国专利 :CN103035504B ,2013-04-10

[4]

化学机械抛光设备的硅片清洗装置 [P].

斯健全 .

中国专利 :CN201543609U ,2010-08-11

[5]

化学机械抛光的方法、用于化学机械抛光的清洗装置 [P].

邓武锋 .

中国专利 :CN102485425A ,2012-06-06

[6]

化学机械抛光后清洗组合物及其制备方法与应用 [P].

吕晶 ;

舒顺新 ;

侯军 ;

褚雨露 ;

王欣欣 .

中国专利 :CN120718718A ,2025-09-30

[7]

一种化学机械抛光后清洗液 [P].

王溯 ;

马丽 ;

何加华 ;

史筱超 .

中国专利 :CN113186540B ,2021-07-30

[8]

一种化学机械抛光后清洗液 [P].

王溯 ;

马丽 ;

史筱超 ;

何加华 ;

杨跃 .

中国专利 :CN113151838B ,2021-07-23

[9]

化学机械抛光后晶片清洗装置 [P].

刘立中 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102773240A ,2012-11-14

[10]

化学机械抛光方法 [P].

胡文才 ;

权林 ;

张宇磊 ;

季文明 .

中国专利 :CN113178386A ,2021-07-27

← 1 2 3 4 5 →