铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110306669.X

申请日：

2011-10-11

公开(公告)号：

CN102418072B

公开(公告)日：

2012-04-18

发明(设计)人：

肖旭东刘壮杨春雷王晓峰

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

IPC主分类号：

C23C1424

IPC分类号：

C23C1406 C23C1416 C23C1418 H01L3118

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

吴平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-18	公开	公开
2013-03-20	授权	授权
2012-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101256117403 IPC(主分类):C23C 14/24 专利申请号:201110306669X 申请日:20111011

共 50 条

[1]

铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池 [P].

吕文博 ;

宋秋明 ;

李朝晖 ;

谭兴 ;

肖旭东 .

中国专利 :CN103474511B ,2013-12-25

[2]

用作太阳能电池光吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法 [P].

李晶泽 ;

周爱军 ;

孔祥刚 ;

梅迪 ;

王影 .

中国专利 :CN102154622A ,2011-08-17

[3]

一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层的方法 [P].

屈飞 ;

古宏伟 ;

丁发柱 ;

戴少涛 .

中国专利 :CN103014643A ,2013-04-03

[4]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 [P].

俞深 ;

李伟民 ;

苑欣业 ;

唐玮 ;

李松 ;

王赛强 ;

赵晨晨 ;

祁同庆 ;

马明 ;

宁德 ;

吴唯 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN115621360A ,2023-01-17

[5]

CIGS吸收层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

李伟民 ;

唐玮 ;

俞深 ;

苑欣业 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN118198184A ,2024-06-14

[6]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片 [P].

曲铭浩 ;

黄昭雄 ;

蔡爱玲 ;

汝小宁 ;

刘闯 ;

蒋宗佑 ;

袁渝 .

中国专利 :CN110752266A ,2020-02-04

[7]

一种薄膜太阳能电池铜铟镓硒光吸收层的制备方法 [P].

张坤峰 .

中国专利 :CN105097965A ,2015-11-25

[8]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置 [P].

刘壮 ;

肖旭东 ;

杨世航 ;

王晓峰 ;

张撷秋 ;

马续航 ;

卢兰兰 ;

宋秋明 ;

钟国华 .

中国专利 :CN101958371A ,2011-01-26

[9]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352A ,2024-06-14

[10]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352B ,2025-10-03

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