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缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410264791.2
申请日
:
2024-03-08
公开(公告)号
:
CN118186352A
公开(公告)日
:
2024-06-14
发明(设计)人
:
杨春雷
梁博文
李伟民
马诗佳
申请人
:
深圳先进技术研究院
申请人地址
:
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
IPC主分类号
:
C23C14/35
IPC分类号
:
H01L31/18
H01L31/0392
H01L31/032
H01L31/0216
C23C14/06
C23C14/08
C23C14/02
C23C14/54
C23C14/24
C23C14/18
代理机构
:
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316
代理人
:
张俊锋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-07-02
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20240308
2025-10-03
授权
授权
2024-06-14
公开
公开
共 50 条
[1]
缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
[P].
杨春雷
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机构:
深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
杨春雷
;
梁博文
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机构:
深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
梁博文
;
李伟民
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
李伟民
;
马诗佳
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机构:
深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
马诗佳
.
中国专利
:CN118186352B
,2025-10-03
[2]
缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
[P].
杨春雷
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机构:
深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
杨春雷
;
陈璐璐
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
陈璐璐
;
李伟民
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机构:
深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
李伟民
.
中国专利
:CN118186353A
,2024-06-14
[3]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片
[P].
曲铭浩
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曲铭浩
;
黄昭雄
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黄昭雄
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蔡爱玲
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蔡爱玲
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汝小宁
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汝小宁
;
刘闯
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刘闯
;
蒋宗佑
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蒋宗佑
;
袁渝
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袁渝
.
中国专利
:CN110752266A
,2020-02-04
[4]
CIGS吸收层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
[P].
李伟民
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
李伟民
;
唐玮
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
唐玮
;
俞深
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
俞深
;
苑欣业
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
苑欣业
;
杨春雷
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深圳先进技术研究院
深圳先进技术研究院
杨春雷
.
中国专利
:CN118198184A
,2024-06-14
[5]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法
[P].
许吉林
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许吉林
;
乔秀梅
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乔秀梅
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梁鹏
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梁鹏
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刘琦
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刘琦
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王权
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王权
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辛智渊
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辛智渊
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李静文
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李静文
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付红颖
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付红颖
.
中国专利
:CN111435686A
,2020-07-21
[6]
铜铟镓硒光吸收层的制备方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池
[P].
吕文博
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吕文博
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宋秋明
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宋秋明
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李朝晖
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李朝晖
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谭兴
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谭兴
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肖旭东
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肖旭东
.
中国专利
:CN103474511B
,2013-12-25
[7]
无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法
[P].
孙云
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孙云
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李长健
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李长健
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刘唯一
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刘唯一
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何清
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何清
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李凤岩
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李凤岩
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周志强
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周志强
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敖建平
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敖建平
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孙国忠
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孙国忠
.
中国专利
:CN1547262A
,2004-11-17
[8]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层沉积装置
[P].
罗明新
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罗明新
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刘晓燚
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刘晓燚
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任宇航
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任宇航
.
中国专利
:CN112599640B
,2021-04-02
[9]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备装置
[P].
刘壮
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刘壮
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肖旭东
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肖旭东
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杨世航
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杨世航
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王晓峰
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王晓峰
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张撷秋
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张撷秋
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马续航
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马续航
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卢兰兰
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卢兰兰
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宋秋明
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宋秋明
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钟国华
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钟国华
.
中国专利
:CN101958371A
,2011-01-26
[10]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法
[P].
俞深
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俞深
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李伟民
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李伟民
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苑欣业
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苑欣业
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唐玮
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唐玮
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李松
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李松
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王赛强
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王赛强
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赵晨晨
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赵晨晨
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祁同庆
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祁同庆
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马明
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马明
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宁德
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宁德
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吴唯
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吴唯
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杨春雷
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杨春雷
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中国专利
:CN115621360A
,2023-01-17
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