缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410264791.2
申请日
2024-03-08
公开(公告)号
CN118186352A
公开(公告)日
2024-06-14
发明(设计)人
杨春雷 梁博文 李伟民 马诗佳
申请人
深圳先进技术研究院
申请人地址
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
IPC主分类号
C23C14/35
IPC分类号
H01L31/18 H01L31/0392 H01L31/032 H01L31/0216 C23C14/06 C23C14/08 C23C14/02 C23C14/54 C23C14/24 C23C14/18
代理机构
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316
代理人
张俊锋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P]. 
杨春雷 ;
梁博文 ;
李伟民 ;
马诗佳 .
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[2]
缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P]. 
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[3]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片 [P]. 
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黄昭雄 ;
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汝小宁 ;
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[4]
CIGS吸收层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P]. 
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[5]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P]. 
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[6]
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[7]
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[9]
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[10]
铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 [P]. 
俞深 ;
李伟民 ;
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唐玮 ;
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王赛强 ;
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中国专利 :CN115621360A ,2023-01-17