无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310107262.X

申请日：

2003-12-09

公开(公告)号：

CN1547262A

公开(公告)日：

2004-11-17

发明(设计)人：

孙云李长健刘唯一何清李凤岩周志强敖建平孙国忠

申请人：

申请人地址：

300071天津市卫津路94号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

天津市学苑有限责任专利代理事务所

代理人：

胡安朋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-15	授权	授权
2005-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-11-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20031209 授权公告日:20061115 终止日期:20181209
2004-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

陈璐璐 ;

李伟民 .

中国专利 :CN118186353A ,2024-06-14

[2]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜及制备方法 [P].

于翠萍 ;

黄延伟 ;

丁严艳 .

中国专利 :CN110047948A ,2019-07-23

[3]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352A ,2024-06-14

[4]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352B ,2025-10-03

[5]

无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法 [P].

卢兰兰 ;

刘壮 ;

肖旭东 .

中国专利 :CN102270699A ,2011-12-07

[6]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法 [P].

黄延伟 ;

肖乐凡 .

中国专利 :CN103972329A ,2014-08-06

[7]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片 [P].

曲铭浩 ;

黄昭雄 ;

蔡爱玲 ;

汝小宁 ;

刘闯 ;

蒋宗佑 ;

袁渝 .

中国专利 :CN110752266A ,2020-02-04

[8]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层沉积装置 [P].

罗明新 ;

刘晓燚 ;

任宇航 .

中国专利 :CN112599640B ,2021-04-02

[9]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 [P].

俞深 ;

李伟民 ;

苑欣业 ;

唐玮 ;

李松 ;

王赛强 ;

赵晨晨 ;

祁同庆 ;

马明 ;

宁德 ;

吴唯 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN115621360A ,2023-01-17

[10]

无硒气氛制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法 [P].

于威 ;

戴万雷 ;

王新占 ;

高超 ;

滕晓云 ;

路万兵 ;

高泽冉 ;

王若冰 ;

秦淑敏 ;

闫美楠 .

中国专利 :CN112853264B ,2021-05-28

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