一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层薄膜及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910160461.8

申请日：

2019-03-04

公开(公告)号：

CN110047948A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

于翠萍黄延伟丁严艳

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310368 H01L310392 H01L3118 C23C1435

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

朱月芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20190304
2019-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

陈璐璐 ;

李伟民 .

中国专利 :CN118186353A ,2024-06-14

[2]

无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法 [P].

孙云 ;

李长健 ;

刘唯一 ;

何清 ;

李凤岩 ;

周志强 ;

敖建平 ;

孙国忠 .

中国专利 :CN1547262A ,2004-11-17

[3]

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法 [P].

黄延伟 ;

肖乐凡 .

中国专利 :CN103972329A ,2014-08-06

[4]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352A ,2024-06-14

[5]

缓冲层、铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

杨春雷 ;

梁博文 ;

李伟民 ;

马诗佳 .

中国专利 :CN118186352B ,2025-10-03

[6]

无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法 [P].

卢兰兰 ;

刘壮 ;

肖旭东 .

中国专利 :CN102270699A ,2011-12-07

[7]

一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的沉积方法 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

向光 ;

任志艳 ;

甘治平 .

中国专利 :CN102337516A ,2012-02-01

[8]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片 [P].

曲铭浩 ;

黄昭雄 ;

蔡爱玲 ;

汝小宁 ;

刘闯 ;

蒋宗佑 ;

袁渝 .

中国专利 :CN110752266A ,2020-02-04

[9]

铜铟镓硒薄膜太阳能电池及制备方法 [P].

许吉林 ;

乔秀梅 ;

梁鹏 ;

刘琦 ;

王权 ;

辛智渊 ;

李静文 ;

付红颖 .

中国专利 :CN111435686A ,2020-07-21

[10]

一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 [P].

缪向水 ;

向君 ;

黄醒 .

中国专利 :CN102903766A ,2013-01-30

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