在微流体结构中产生化学物图案的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310689189.5
申请日
2013-12-12
公开(公告)号
CN104515737A
公开(公告)日
2015-04-15
发明(设计)人
蔡尚颖 洪丽閔 彭荣辉
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
G01N2105
IPC分类号
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;孙征
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
在微流体装置中产生热熔化曲线的方法和设备 [P]. 
S·A·桑德伯格 ;
M·R·纳普 ;
I·T·奈特 ;
D·J·伯勒斯 ;
A·鲁里森 ;
W·B·董 ;
A·法班斯 ;
A·博兰凯 ;
E·多隆 ;
R·莫逖 ;
M·斯拉特 .
中国专利 :CN101426933A ,2009-05-06
[2]
在微流体装置中产生热熔化曲线的方法和设备 [P]. 
S·A·桑德伯格 ;
M·R·纳普 ;
I·T·奈特 ;
D·J·伯勒斯 ;
A·鲁里森 ;
W·B·董 ;
A·法班斯 ;
A·博兰凯 ;
E·多隆 ;
R·莫逖 ;
M·斯拉特 .
中国专利 :CN105586403A ,2016-05-18
[3]
生化学物質の分析方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006123459A1 ,2008-12-25
[6]
微流体系统中用于在微通道中产生电渗流体运动的致动器 [P]. 
特龙·艾德斯尼斯 ;
奥拉夫·埃林森 ;
特龙·海尔达尔 ;
纳塔利娅·米什丘克 .
中国专利 :CN1668527B ,2005-09-14
[7]
微流体通道内的SERS结构、微流体SERS检测方法 [P]. 
劳召欣 ;
吴东 ;
胡衍雷 ;
褚家如 .
中国专利 :CN110346350B ,2019-10-18
[8]
防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P]. 
毛智彪 .
中国专利 :CN103258794A ,2013-08-21
[9]
防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P]. 
毛智彪 ;
甘志峰 ;
董献国 .
中国专利 :CN103258795A ,2013-08-21
[10]
防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P]. 
毛智彪 ;
董献国 ;
甘志峰 .
中国专利 :CN103199016A ,2013-07-10