防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310084516.4

申请日：

2013-03-15

公开(公告)号：

CN103258794A

公开(公告)日：

2013-08-21

发明(设计)人：

毛智彪

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

G03F740

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-21	公开	公开
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101520130602 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2013100845164 申请日:20130315
2016-11-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741823310 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2013100845164 申请公布日:20130821

共 50 条

[1]

防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P].

毛智彪 .

中国专利 :CN103258733A ,2013-08-21

[2]

防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P].

毛智彪 .

中国专利 :CN103197513A ,2013-07-10

[3]

防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P].

毛智彪 .

中国专利 :CN103165533A ,2013-06-19

[4]

防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P].

毛智彪 ;

董献国 ;

甘志峰 .

中国专利 :CN103199016A ,2013-07-10

[5]

防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法 [P].

毛智彪 ;

甘志峰 ;

董献国 .

中国专利 :CN103258795A ,2013-08-21

[6]

用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102135726B ,2011-07-27

[7]

超厚光刻胶的刻蚀方法 [P].

王雷 ;

郭晓波 ;

程晋广 .

中国专利 :CN103050394B ,2013-04-17

[8]

厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法 [P].

郭振华 ;

虞颖 .

中国专利 :CN103904023A ,2014-07-02

[9]

提高光刻胶抗刻蚀能力的方法 [P].

朱骏 .

中国专利 :CN101944483A ,2011-01-12

[10]

检测光刻胶缺陷的方法 [P].

胡林 .

中国专利 :CN102496586B ,2012-06-13

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