超厚光刻胶的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110309626.7

申请日：

2011-10-13

公开(公告)号：

CN103050394B

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

王雷郭晓波程晋广

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

孙大为

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457122305 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011103096267 申请日:20111013
2015-10-14	授权	授权
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689554400 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2011103096267 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2013-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

刻蚀超厚非感光性光刻胶的刻蚀方法 [P].

王雷 ;

郭晓波 ;

程晋广 .

中国专利 :CN103165406A ,2013-06-19

[2]

厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法 [P].

郭振华 ;

虞颖 .

中国专利 :CN103904023A ,2014-07-02

[3]

光刻胶刻蚀装置 [P].

王志祥 .

中国专利 :CN217134322U ,2022-08-05

[4]

负型超厚膜光刻胶 [P].

菱田有高 ;

本林央志 ;

卢蕾 ;

陈春伟 ;

卢炳宏 ;

刘卫宏 .

中国专利 :CN111837075A ,2020-10-27

[5]

负型超厚膜光刻胶 [P].

菱田有高 ;

本林央志 ;

卢蕾 ;

陈春伟 ;

卢炳宏 ;

刘卫宏 .

德国专利 :CN111837075B ,2024-07-05

[6]

光刻胶、光刻胶的图案化方法及集成电路板的刻蚀方法 [P].

徐宏 ;

何向明 ;

王倩倩 .

中国专利 :CN111965947B ,2020-11-20

[7]

一种光刻胶及刻蚀方法 [P].

陈善韬 .

中国专利 :CN106444281A ,2017-02-22

[8]

光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN102096310B ,2011-06-15

[9]

改善光刻胶耐刻蚀性的方法 [P].

U·P·施勒德尔 ;

G·昆克尔 ;

A·古特曼 ;

B·斯普勒 .

中国专利 :CN1268678A ,2000-10-04

[10]

提高光刻胶抗刻蚀能力的方法 [P].

朱骏 .

中国专利 :CN101944483A ,2011-01-12

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