用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010027344.3

申请日：

2010-01-21

公开(公告)号：

CN102135726B

公开(公告)日：

2011-07-27

发明(设计)人：

阚欢吴鹏

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

G03F700

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101104510105 IPC(主分类):G03F 7/00 专利申请号:2010100273443 申请日:20100121
2011-07-27	公开	公开
2014-01-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685688907 IPC(主分类):G03F 7/00 专利号:ZL2010100273443 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131219
2012-06-27	授权	授权

共 50 条

[1]

作为硅槽刻蚀掩膜的光刻胶的光刻方法 [P].

徐春云 .

中国专利 :CN103576445B ,2014-02-12

[2]

一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法 [P].

潘英飞 ;

耿宁宁 .

中国专利 :CN105223788A ,2016-01-06

[3]

用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶成像方法、多相高硅光刻胶及应用 [P].

孙逊运 .

中国专利 :CN102236253B ,2011-11-09

[4]

光刻胶去除方法、光刻工艺的返工方法 [P].

袁宝玲 ;

高云 ;

赵祥旭 ;

王科 ;

邱运航 ;

陈方友 .

中国专利 :CN120276222A ,2025-07-08

[5]

用于GPP工艺的光刻胶、制备方法及其光刻工艺 [P].

孙逊运 ;

吴淑财 ;

于凯 ;

王安栋 .

中国专利 :CN108196426A ,2018-06-22

[6]

用于GPP工艺的光刻胶、制备方法及其光刻工艺 [P].

孙逊运 ;

王安栋 ;

吴淑财 ;

于凯 .

中国专利 :CN108089403B ,2018-05-29

[7]

正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN114460810A ,2022-05-10

[8]

硅凹槽光刻工艺及其适用的光掩膜 [P].

胡华勇 ;

张士健 ;

韩秋华 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102347279A ,2012-02-08

[9]

聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺 [P].

王晓伟 .

中国专利 :CN114539518A ,2022-05-27

[10]

光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法 [P].

袁文勋 ;

陈杰 .

中国专利 :CN105573068A ,2016-05-11

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