硅凹槽光刻工艺及其适用的光掩膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010245390.0

申请日：

2010-07-26

公开(公告)号：

CN102347279A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

胡华勇张士健韩秋华何有丰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21306 G03F176

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101697199949 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010102453900 申请公布日:20120208
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487968157 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010102453900 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121119
2012-02-08	公开	公开
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208129880 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2010102453900 申请日:20100726

共 50 条

[1]

用于硅衬底湿法刻蚀的直接光刻胶掩膜的光刻工艺方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102135726B ,2011-07-27

[2]

掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN111240149A ,2020-06-05

[3]

用于光刻工艺的掩膜及其制成的图形 [P].

戴维·普拉特 ;

理查德·豪斯利 .

中国专利 :CN103730337B ,2014-04-16

[4]

光刻工艺的对准方法及其适用的光罩 [P].

段成明 ;

赵鹏 ;

刘冠良 .

中国专利 :CN114200770A ,2022-03-18

[5]

一种高效剥离光刻胶掩膜的光刻工艺方法 [P].

潘英飞 ;

耿宁宁 .

中国专利 :CN105223788A ,2016-01-06

[6]

应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法 [P].

范聪聪 .

中国专利 :CN113296354A ,2021-08-24

[7]

应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法 [P].

范聪聪 .

中国专利 :CN113296352B ,2021-08-24

[8]

实现更小线宽的光刻工艺 [P].

张煜 ;

郑海昌 ;

朱骏 .

中国专利 :CN106933064B ,2017-07-07

[9]

测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版 [P].

叶序明 .

中国专利 :CN105954985A ,2016-09-21

[10]

光刻工艺的显影方法 [P].

杨光宇 .

中国专利 :CN101393401A ,2009-03-25

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