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应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010109639.9
申请日
:
2020-02-22
公开(公告)号
:
CN113296354A
公开(公告)日
:
2021-08-24
发明(设计)人
:
范聪聪
申请人
:
申请人地址
:
230001 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
:
G03F154
IPC分类号
:
G03F900
H01L23544
代理机构
:
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
:
孙佳胤;高翠花
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-24
公开
公开
共 50 条
[1]
应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法
[P].
范聪聪
论文数:
0
引用数:
0
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0
范聪聪
.
中国专利
:CN113296352B
,2021-08-24
[2]
半导体光刻工艺
[P].
黄沛霖
论文数:
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0
黄沛霖
;
黄浚彦
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黄浚彦
;
王逸铭
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王逸铭
.
中国专利
:CN102213914B
,2011-10-12
[3]
半导体光刻工艺的方法
[P].
孙彪
论文数:
0
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0
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0
孙彪
.
中国专利
:CN112987516B
,2021-06-18
[4]
掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法
[P].
李伟峰
论文数:
0
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0
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李伟峰
.
中国专利
:CN111240149A
,2020-06-05
[5]
光刻工艺及用于执行光刻工艺的系统
[P].
游秋山
论文数:
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游秋山
.
中国专利
:CN107546111B
,2018-01-05
[6]
光刻工艺方法
[P].
冷国庆
论文数:
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
冷国庆
;
邢会锋
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
邢会锋
;
尹静娟
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
尹静娟
;
陈倩
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
陈倩
.
中国专利
:CN116072519B
,2025-12-09
[7]
用于半导体光刻工艺的保护膜设备
[P].
李雨青
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李雨青
;
余青芳
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余青芳
;
林俊宏
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林俊宏
;
许庭豪
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许庭豪
;
张庆祥
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张庆祥
;
秦圣基
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秦圣基
.
中国专利
:CN107045264A
,2017-08-15
[8]
光刻工艺方法
[P].
官锡俊
论文数:
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官锡俊
.
中国专利
:CN110767540A
,2020-02-07
[9]
光刻工艺方法
[P].
李伟峰
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李伟峰
;
王雷
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王雷
.
中国专利
:CN105527798A
,2016-04-27
[10]
光刻工艺方法
[P].
游信胜
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游信胜
;
余青芳
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余青芳
;
王文娟
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王文娟
;
许庭豪
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许庭豪
;
秦圣基
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秦圣基
;
严涛南
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严涛南
.
中国专利
:CN109307989B
,2019-02-05
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