测量光刻工艺套刻精度的方法及掩膜版

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610498868.8

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN105954985A

公开(公告)日：

2016-09-21

发明(设计)人：

叶序明

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

G03F900

IPC分类号：

G03F720

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-21	公开	公开
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683312879 IPC(主分类):G03F 9/00 专利申请号:2016104988688 申请日:20160630
2019-12-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F 9/00 申请公布日:20160921

共 50 条

[1]

掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN111240149A ,2020-06-05

[2]

应用于半导体光刻工艺中的掩膜版及光刻工艺方法 [P].

范聪聪 .

中国专利 :CN113296354A ,2021-08-24

[3]

光刻工艺窗口的优化方法、掩膜版及可读存储介质 [P].

曹楠 ;

王浩 ;

陈洁 ;

朱斌 ;

张剑 ;

严保鑫 .

中国专利 :CN119148458A ,2024-12-17

[4]

应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法 [P].

范聪聪 .

中国专利 :CN113296352B ,2021-08-24

[5]

光刻工艺套刻误差的优化表征方法、装置及系统 [P].

孟凯 ;

胡岱艺 ;

张航瑛 ;

武星 ;

钱晓明 ;

楼佩煌 .

中国专利 :CN119805875B ,2025-12-02

[6]

光刻工艺套刻误差的优化表征方法、装置及系统 [P].

孟凯 ;

胡岱艺 ;

张航瑛 ;

武星 ;

钱晓明 ;

楼佩煌 .

中国专利 :CN119805875A ,2025-04-11

[7]

一种多重光刻工艺套刻精度尺寸与膜厚的监控方法 [P].

周广东 ;

邓荣斌 ;

钟贵钦 ;

施国良 ;

梁妃妃 .

中国专利 :CN118053778A ,2024-05-17

[8]

提高光刻套刻精度的方法 [P].

王雷 .

中国专利 :CN101661224B ,2010-03-03

[9]

用于光刻工艺的掩膜及其制成的图形 [P].

戴维·普拉特 ;

理查德·豪斯利 .

中国专利 :CN103730337B ,2014-04-16

[10]

硅凹槽光刻工艺及其适用的光掩膜 [P].

胡华勇 ;

张士健 ;

韩秋华 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102347279A ,2012-02-08

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