固相反应法制备层错结构硫族化合物热电材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610743431.6

申请日：

2016-08-29

公开(公告)号：

CN106129241A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

昂然尹聪唐军刘宁

申请人：

申请人地址：

610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

IPC主分类号：

H01L3520

IPC分类号：

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691381337 IPC(主分类):H01L 35/20 专利申请号:2016107434316 申请日:20160829
2018-06-19	授权	授权
2016-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种银基硫族化合物塑性热电材料及其制备方法 [P].

韩广 ;

荆文斌 ;

周小元 ;

刘思芸 .

中国专利 :CN117069070B ,2025-10-31

[2]

一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法 [P].

陈立东 ;

孙正亮 ;

陈喜红 ;

刘付胜聪 .

中国专利 :CN102337524A ,2012-02-01

[3]

一种硫族化合物基热电材料及其制备方法 [P].

林嘉河 ;

刘平伟 ;

陈杰勋 ;

吴岳 ;

程烨 ;

梁花 ;

王青月 .

中国专利 :CN115124006B ,2025-01-21

[4]

一种硫族化合物基热电材料及其制备方法 [P].

林嘉河 ;

刘平伟 ;

陈杰勋 ;

吴岳 ;

程烨 ;

梁花 ;

王青月 .

中国专利 :CN115124006A ,2022-09-30

[5]

利用液相化学法制备硫族化合物热电薄膜的方法 [P].

刘宏 ;

王继扬 ;

韩峰 ;

崔洪梅 ;

李霞 ;

林延霆 ;

蒋民华 .

中国专利 :CN1677704A ,2005-10-05

[6]

铅的硫族化合物半导体单晶的制备方法 [P].

张建成 ;

吴汶海 .

中国专利 :CN100344802C ,2006-02-22

[7]

一种铋氧硫族热电化合物的制备方法 [P].

周剑 ;

彭蔼韶 .

中国专利 :CN118992988A ,2024-11-22

[8]

硫族化合物的高压釜合成方法 [P].

陶绪堂 ;

王善朋 ;

董春明 ;

蒋民华 .

中国专利 :CN1924113A ,2007-03-07

[9]

一种银基硫族化合物Ag2X热电材料的制备方法 [P].

韩广 ;

王恒阳 .

中国专利 :CN111252802A ,2020-06-09

[10]

一种硒掺杂过渡金属硫族化合物热电材料及其制备方法 [P].

瞿三寅 ;

任童威 ;

史迅 ;

仇鹏飞 .

中国专利 :CN118946236A ,2024-11-12

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