一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器

被引：0

申请号：

CN202211235320.6

申请日：

2022-10-10

公开(公告)号：

CN115684740A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

夏善红高雅浩刘向明彭思敏彭春荣

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区北四环西路19号

IPC主分类号：

G01R2908

IPC分类号：

B81B702

代理机构：

北京科迪生专利代理有限责任公司 11251

代理人：

金怡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器 [P].

杨庆 ;

廖伟 ;

罗曼丹 ;

董富宁 ;

陈柠 ;

马乐为 .

中国专利 :CN114778958A ,2022-07-22

[2]

MEMS电场传感器的无线供能系统及MEMS电场传感器 [P].

张超 ;

余占清 ;

黄耀升 ;

牟亚 ;

陈志锋 ;

王晓蕊 ;

梁海蓬 .

中国专利 :CN207968089U ,2018-10-12

[3]

一种基于扭转振动的互屏蔽式电场传感器 [P].

夏善红 ;

储昭志 ;

雷虎成 ;

彭春荣 ;

凌必赟 ;

张洲威 .

中国专利 :CN108508284A ,2018-09-07

[4]

基于驻极体的MEMS电场传感器 [P].

黄景傲 ;

伍晓明 ;

边潍 .

中国专利 :CN104020359B ,2014-09-03

[5]

一种自适应型MEMS电场传感器及其结构 [P].

储昭志 ;

杨鹏飞 ;

闻小龙 ;

彭春荣 ;

夏善红 ;

刘宇涛 ;

吴双 .

中国专利 :CN114113813B ,2022-03-01

[6]

一种垂直调制的谐振式电场传感器及其制备方法 [P].

杨鹏飞 ;

王若航 .

中国专利 :CN117517803B ,2024-05-07

[7]

一种垂直调制的谐振式电场传感器及其制备方法 [P].

杨鹏飞 ;

王若航 .

中国专利 :CN117517803A ,2024-02-06

[8]

一种扭转式电场传感器 [P].

夏善红 ;

储昭志 ;

彭春荣 .

中国专利 :CN106093605A ,2016-11-09

[9]

一种基于兰姆波A0模态的谐振式MEMS电场传感器 [P].

张晓升 ;

解云飞 ;

涂程 .

中国专利 :CN120294432A ,2025-07-11

[10]

旋转谐振式三维电场传感器 [P].

夏善红 ;

王宇 ;

方东明 ;

彭春荣 .

中国专利 :CN103308782B ,2013-09-18

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