一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器

被引：0

申请号：

CN202210252347.X

申请日：

2022-03-15

公开(公告)号：

CN114778958A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

杨庆廖伟罗曼丹董富宁陈柠马乐为

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

G01R2908

IPC分类号：

G01R1518 H01L41113 B81B702

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

武君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 29/08 申请日:20220315
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于压电驱动的扭转振镜式MEMS电场传感器及电场强度测量方法 [P].

德丽努尔·阿赞 ;

董文娟 ;

宋辉 ;

王新刚 ;

热娜古丽·吾甫尔 ;

王浩 ;

王宇巍 .

中国专利 :CN121114584A ,2025-12-12

[2]

一种场磨直流调制与线圈感应集成MEMS电场传感器 [P].

杨庆 ;

柯锟 ;

杨柳婷 ;

姚子恒 ;

周江霖 ;

邱震辉 ;

罗思佳 ;

陆晨曦 .

中国专利 :CN120294431A ,2025-07-11

[3]

压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

储昭志 ;

闻小龙 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827852A ,2025-04-15

[4]

压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

储昭志 ;

闻小龙 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827852B ,2025-08-12

[5]

一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法 [P].

杨庆 ;

柯锟 ;

廖伟 ;

邱震辉 .

中国专利 :CN116040577B ,2025-08-26

[6]

压电电极、压电组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

闻小龙 ;

储昭志 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827851A ,2025-04-15

[7]

压电电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

闻小龙 ;

储昭志 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827853A ,2025-04-15

[8]

一种压电驱动微型电场传感器 [P].

冯可 ;

肖蕾 ;

刘楠 ;

许斌 .

中国专利 :CN222774622U ,2025-04-18

[9]

基于驻极体的MEMS电场传感器 [P].

黄景傲 ;

伍晓明 ;

边潍 .

中国专利 :CN104020359B ,2014-09-03

[10]

一种基于GIS-SOI-GOS的垂直谐振式MEMS电场传感器 [P].

夏善红 ;

高雅浩 ;

刘向明 ;

彭思敏 ;

彭春荣 .

中国专利 :CN115684740A ,2023-02-03

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