一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310039782.9

申请日：

2023-01-11

公开(公告)号：

CN116040577B

公开(公告)日：

2025-08-26

发明(设计)人：

杨庆柯锟廖伟邱震辉

申请人：

重庆大学

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

B81B7/02 H10N30/30 H10N30/85 G01R33/00

代理机构：

北京君泊知识产权代理有限公司 11496

代理人：

周倩

法律状态：

授权

国省代码：

重庆市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种压电驱动微型电场传感器 [P].

冯可 ;

肖蕾 ;

刘楠 ;

许斌 .

中国专利 :CN222774622U ,2025-04-18

[2]

压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

储昭志 ;

闻小龙 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827852A ,2025-04-15

[3]

压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

储昭志 ;

闻小龙 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827852B ,2025-08-12

[4]

压电电极、压电组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

闻小龙 ;

储昭志 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827851A ,2025-04-15

[5]

压电电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P].

杨鹏飞 ;

闻小龙 ;

储昭志 ;

吴双 .

中国专利 :CN119827853A ,2025-04-15

[6]

一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器 [P].

杨庆 ;

廖伟 ;

罗曼丹 ;

董富宁 ;

陈柠 ;

马乐为 .

中国专利 :CN114778958A ,2022-07-22

[7]

一种基于MEMS电场传感器压电薄膜及制作方法 [P].

周柯 ;

金庆忍 ;

覃思 ;

廖文涛 ;

卢柏桦 ;

秦丽文 ;

莫枝阅 ;

吴丽芳 ;

杨雄杰 .

中国专利 :CN119789767A ,2025-04-08

[8]

一种基于压电驱动的扭转振镜式MEMS电场传感器及电场强度测量方法 [P].

德丽努尔·阿赞 ;

董文娟 ;

宋辉 ;

王新刚 ;

热娜古丽·吾甫尔 ;

王浩 ;

王宇巍 .

中国专利 :CN121114584A ,2025-12-12

[9]

压电悬臂梁式微型电场传感器 [P].

夏善红 ;

冯可 ;

佟建华 ;

方东明 .

中国专利 :CN103675481B ,2014-03-26

[10]

压电驱动互屏蔽电极微型电场传感器 [P].

夏善红 ;

雷虎成 ;

彭春荣 .

中国专利 :CN110412362A ,2019-11-05

← 1 2 3 4 5 →