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一种基于MEMS电场传感器压电薄膜及制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411626595.1
申请日：
2024-11-14
公开(公告)号：
CN119789767A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
周柯 金庆忍 覃思 廖文涛 卢柏桦 秦丽文 莫枝阅 吴丽芳 杨雄杰
申请人：
广西电网有限责任公司电力科学研究院
申请人地址：
530023 广西壮族自治区南宁市兴宁区民主路6-2号
IPC主分类号：
H10N30/30
IPC分类号：
H10N30/853 H10N30/093 B81B7/02
代理机构：
南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32272
代理人：
谭磊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广西壮族自治区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 30/30申请日:20241114
2025-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
压电电极、压电组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
闻小龙 ;
储昭志 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827851A ,2025-04-15
[2]
一种压电薄膜传感器、压电薄膜传感器电路及制作方法 [P]. 
田雪雁 .
中国专利 :CN105655480A ,2016-06-08
[3]
一种压电薄膜、其制作方法及传感器 [P]. 
位秋梅 ;
花慧 ;
林博 ;
王迎姿 .
中国专利 :CN119584841A ,2025-03-07
[4]
压电电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
闻小龙 ;
储昭志 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827853A ,2025-04-15
[5]
一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法 [P]. 
杨庆 ;
柯锟 ;
廖伟 ;
邱震辉 .
中国专利 :CN116040577B ,2025-08-26
[6]
一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器 [P]. 
宏宇 ;
武斌 .
中国专利 :CN120397982B ,2025-09-12
[7]
一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器 [P]. 
宏宇 ;
武斌 .
中国专利 :CN120397982A ,2025-08-01
[8]
压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
储昭志 ;
闻小龙 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827852A ,2025-04-15
[9]
压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
储昭志 ;
闻小龙 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827852B ,2025-08-12
[10]
MEMS电场传感器的无线供能系统及MEMS电场传感器 [P]. 
张超 ;
余占清 ;
黄耀升 ;
牟亚 ;
陈志锋 ;
王晓蕊 ;
梁海蓬 .
中国专利 :CN207968089U ,2018-10-12
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