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一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510909237.X
申请日：
2025-07-02
公开(公告)号：
CN120397982A
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
宏宇 武斌
申请人：
深圳市美思先端电子有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301
IPC主分类号：
B81C1/00
IPC分类号：
B81B7/02 G01D5/00
代理机构：
深圳市精英创新知识产权代理有限公司 44740
代理人：
涂年影
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20250702
2025-09-12 授权 授权
2025-08-01 公开 公开
共 50 条
[1]
一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器 [P]. 
宏宇 ;
武斌 .
中国专利 :CN120397982B ,2025-09-12
[2]
MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器 [P]. 
庄瑞芬 ;
李刚 .
中国专利 :CN117430080B ,2024-02-20
[3]
MEMS传感器的制作方法及MEMS传感器 [P]. 
庄瑞芬 ;
李刚 .
中国专利 :CN117430080A ,2024-01-23
[4]
一种MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器 [P]. 
端木鲁玉 ;
田峻瑜 ;
闫文明 .
中国专利 :CN114132889A ,2022-03-04
[5]
一种基于MEMS电场传感器压电薄膜及制作方法 [P]. 
周柯 ;
金庆忍 ;
覃思 ;
廖文涛 ;
卢柏桦 ;
秦丽文 ;
莫枝阅 ;
吴丽芳 ;
杨雄杰 .
中国专利 :CN119789767A ,2025-04-08
[6]
MEMS传感器的制作方法 [P]. 
柏杨 ;
张睿 .
中国专利 :CN112551480A ,2021-03-26
[7]
MEMS传感器及其制作方法 [P]. 
黄晟 ;
蔡光艳 ;
魏晓莉 ;
蔡喜元 ;
贾蔓谷 ;
丁铮 .
中国专利 :CN117029908B ,2024-11-26
[8]
MEMS传感器及其制作方法 [P]. 
宋亚伟 ;
迟海 ;
宋学谦 .
中国专利 :CN112758883A ,2021-05-07
[9]
MEMS传感器及其制作方法 [P]. 
宋亚伟 ;
迟海 ;
宋学谦 .
中国专利 :CN112758883B ,2025-02-25
[10]
MEMS传感器及其制作方法 [P]. 
张春伟 ;
曹兴龙 .
中国专利 :CN117699736A ,2024-03-15
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