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压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411839892.4
申请日：
2024-12-13
公开(公告)号：
CN119827852A
公开(公告)日：
2025-04-15
发明(设计)人：
杨鹏飞 储昭志 闻小龙 吴双
申请人：
北京中科飞龙传感技术有限责任公司 中科飞龙（北京）智能科技有限公司
申请人地址：
100097 北京市海淀区昆明湖南路51号C座一层102号
IPC主分类号：
G01R29/12
IPC分类号：
B81B3/00 B81B7/00 B81B7/02 B81C1/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01R 29/12申请日:20241213
2025-08-12 授权 授权
2025-04-15 公开 公开
共 50 条
[1]
压电驱动电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
储昭志 ;
闻小龙 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827852B ,2025-08-12
[2]
压电电极、压电组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
闻小龙 ;
储昭志 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827851A ,2025-04-15
[3]
压电电极组件、加工方法及MEMS电场传感器 [P]. 
杨鹏飞 ;
闻小龙 ;
储昭志 ;
吴双 .
中国专利 :CN119827853A ,2025-04-15
[4]
一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法 [P]. 
杨庆 ;
柯锟 ;
廖伟 ;
邱震辉 .
中国专利 :CN116040577B ,2025-08-26
[5]
压电驱动互屏蔽电极微型电场传感器 [P]. 
夏善红 ;
雷虎成 ;
彭春荣 .
中国专利 :CN110412362A ,2019-11-05
[6]
一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器 [P]. 
杨庆 ;
廖伟 ;
罗曼丹 ;
董富宁 ;
陈柠 ;
马乐为 .
中国专利 :CN114778958A ,2022-07-22
[7]
一种基于压电驱动的扭转振镜式MEMS电场传感器及电场强度测量方法 [P]. 
德丽努尔·阿赞 ;
董文娟 ;
宋辉 ;
王新刚 ;
热娜古丽·吾甫尔 ;
王浩 ;
王宇巍 .
中国专利 :CN121114584A ,2025-12-12
[8]
一种压电驱动微型电场传感器 [P]. 
冯可 ;
肖蕾 ;
刘楠 ;
许斌 .
中国专利 :CN222774622U ,2025-04-18
[9]
MEMS电场传感器的无线供能系统及MEMS电场传感器 [P]. 
张超 ;
余占清 ;
黄耀升 ;
牟亚 ;
陈志锋 ;
王晓蕊 ;
梁海蓬 .
中国专利 :CN207968089U ,2018-10-12
[10]
一种基于MEMS电场传感器压电薄膜及制作方法 [P]. 
周柯 ;
金庆忍 ;
覃思 ;
廖文涛 ;
卢柏桦 ;
秦丽文 ;
莫枝阅 ;
吴丽芳 ;
杨雄杰 .
中国专利 :CN119789767A ,2025-04-08
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